半導體超純水設備成為“清洗”工序中重要一環(huán)

　　清洗不僅是半導體制造工藝的重要組成部分，也是影響半導體器件成品率的重要因素之一。清洗是晶圓加工和制造過程中的一個重要部分。為了將雜質(zhì)對芯片成品率的影響降低，在實際生產(chǎn)過程中，不僅要保證單次清洗的效率，而且要在幾乎所有工藝前后進行頻繁的清洗。它是單晶硅晶片制造、光刻、刻蝕、沉積等關(guān)鍵工藝中必不可少的環(huán)節(jié)。

　　1、在硅片制造過程中，需要對拋光硅片進行清洗，以保證其表面平整度和性能，從而提高后續(xù)加工的成品率。

　　2、在晶圓制造過程中，需要在光刻、蝕刻、離子注入、脫膠、成膜、機械拋光等關(guān)鍵工序前后對晶圓進行清洗，以去除晶圓污染的化學雜質(zhì)，降低缺陷率，提高成品率。

　　3、在芯片封裝過程中，需要根據(jù)封裝工藝對芯片進行TSV(硅穿孔)清洗、UBM/RDL(凸點底部金屬/膜重分布技術(shù))清洗和鍵合清洗。

　　在進入每個工藝之前，硅片表面必須清潔，清潔步驟必須重復多次，以去除表面上的污染物。芯片制造需要在無塵室內(nèi)進行。在芯片制造過程中，任何污染都會影響芯片上器件的正常功能。污染雜質(zhì)是指半導體制造過程中引入的任何物質(zhì)，這些物質(zhì)會危及芯片的產(chǎn)量和電氣性能。具體污染物包括顆粒物、有機物、金屬和天然氧化層。這些污染物包括來自環(huán)境、其他制造工藝、蝕刻副產(chǎn)品、研磨液等。如果不及時清除上述受污染的雜質(zhì)，可能導致后續(xù)工藝失敗，導致電氣故障，導致芯片報廢。

　　隨著半導體工業(yè)的不斷發(fā)展，對清潔水的電導率、離子含量、TOC、DO和顆粒物的要求越來越嚴格。由于半導體行業(yè)的超純水與其他行業(yè)的用水要求不同，半導體行業(yè)對超純水有更嚴格的水質(zhì)要求。目前，中國常用的超純水標準有國家標準《電子級水》(GB/T 11446.1-2013)和美國標準《電子和半導體行業(yè)用超純水指南》(ASTM-D5127-13)。

　　萊特萊德超純水設備性能優(yōu)勢很多，比如能夠連續(xù)穩(wěn)定的制備品質(zhì)優(yōu)良的超純水、不會因為樹脂再生而停止運行、設備結(jié)構(gòu)設計相對靠緊、占地面積小等等。還有較為重要的一點便是，超純水設備內(nèi)部還可安置反滲透預脫鹽技術(shù)，從根本上保障了超純水出水水質(zhì)，在超純水制取中所產(chǎn)出廢水量會較小，不會對環(huán)境造成污染，對于保護環(huán)境來說有著重要的意義。我們相信更高質(zhì)量的超純水可以給半導體帶來更好的性能，給半導體企業(yè)帶來更強的優(yōu)勢。

　　轉(zhuǎn)載時請注明文章來源“萊特萊德”，否則視為侵權(quán)，感謝配合。

　　編輯：虞美人    技術(shù)：木子