國(guó)內(nèi)技術(shù)取得突破,全球半導(dǎo)體戰(zhàn)爭(zhēng)愈演愈烈
經(jīng)過(guò)20多年的風(fēng)風(fēng)雨雨,我國(guó)終于完成了從“中國(guó)制造”到“中國(guó)智造”的偉大轉(zhuǎn)變。這些變化和進(jìn)步無(wú)疑值得肯定。但是,我們不能否認(rèn),在高端科技領(lǐng)域,與世界水平相比還有很長(zhǎng)的距離和很大的差距。
然而,中國(guó)國(guó)內(nèi)企業(yè)兩項(xiàng)核心技術(shù)的突破填補(bǔ)了如此巨大的差距。這是巨大的進(jìn)步!更是偉大的突破!
比爾·蓋茨曾說(shuō),美國(guó)的供應(yīng)中斷是徒勞和無(wú)益的。這只會(huì)使中國(guó)企業(yè)在逆境中取得更大的突破。現(xiàn)在比爾·蓋茨的話似乎正在成為現(xiàn)實(shí)。我國(guó)在5G射頻芯片核心技術(shù)研究方面取得了很大進(jìn)展。
超純水系統(tǒng)為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)添磚加瓦,守好水質(zhì)關(guān)
幾乎所有半導(dǎo)體生產(chǎn)過(guò)程都需要超純水清洗。工件與水直接接觸,水質(zhì)達(dá)不到標(biāo)準(zhǔn),水中微量雜質(zhì)會(huì)再次污染芯片,對(duì)產(chǎn)品的影響不言而喻。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷進(jìn)步,半導(dǎo)體生產(chǎn)對(duì)水中污染物的要求越來(lái)越高。自20世紀(jì)60年代末美國(guó)五家公司提出半導(dǎo)體純水水質(zhì)指標(biāo)以來(lái),半導(dǎo)體中的雜質(zhì)每一代都減少了1/2~1/10。1983年和1990年美國(guó)測(cè)試與材料學(xué)會(huì)發(fā)布的電子水質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)已不能滿足超大規(guī)模集成電路半導(dǎo)體快速發(fā)展的需要。目前,ASTM已經(jīng)提出了新的更嚴(yán)格的水質(zhì)指標(biāo)。
“RO+EDI+精處理混床”工藝與傳統(tǒng)純水處理工藝基本相同。經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的預(yù)處理后,原水進(jìn)入RO反滲透膜系統(tǒng),出水立即送至超純水系統(tǒng)。此時(shí),出水已達(dá)到一般工業(yè)純水的要求,然后通過(guò)混床深度處理,確保出水無(wú)雜質(zhì),達(dá)到18兆歐電子超純水標(biāo)準(zhǔn)。超純水系統(tǒng)為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)舔磚加瓦,守好水質(zhì)關(guān)。
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